EFFET DE LA DÉFORMATION SUR LES PROPRIÉTÉS DES SEMI-CONDUCTEURS

Abstract

Dans ce travail nous avons étudié les propriétés structurales et électronique des composés GaN,ALN,BN et InN dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (D F T). Nous avons utilisé la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées avec un potentiel total (FP-LAPW ).Les résultats obtenus pour les propriétés structurales sont en bon accord avec les valeurs expérimentales . les bandes d'énergie montrent que les composés BN,AIN,et GaN sont des demi-conducteurs avec un large gap d'énergie,tandis que InN à un petit gap .nous avons calculé les potentiels de déformation pour la déformation tétragonale .Ces résultats sont en bon accord avec les autres calculs.