Réactivité et propriétés électroniques des clusters binaires GaMo

Abstract

La stabilité, réactivité et propriétés électroniques des clusters binaires GaMo ont été étudiés en utilisant la méthode TPSS/SDD. La stabilité a été étudiée en termes des énergies de liaisons (Eb), l’énergie de fragmentation, la différence d’énergie au second ordre et les écarts énergétiques HOMO-LUMO (Eg). Les résultats obtenus pour les clusters GaMo révèlent que les clusters Ga3Mo, Ga4Mo et Ga6Mo sont plus stables que tous les autres clusters. Un écart plus important entre HOMO et LUMO a été observé pour le cluster Ga6Mo (1.1 eV), indiquant une grande stabilité chimique pour ce cluster. Les calculs du magnétisme montrent que les moments magnétiques des clusters GaMo varient entre 0.09 et 1 μB/atome et l’orbital 3d de l’atome de molybdène joue un rôle crucial dans le magnétisme des clusters GaMo.