Réactivité et propriétés électroniques des clusters binaires GaMo

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	BENASSOU, IMANE	-
dc.date.accessioned	2022-02-14T14:55:18Z	-
dc.date.available	2022-02-14T14:55:18Z	-
dc.date.issued	2021	-
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-guelma.dz/jspui/handle/123456789/11797	-
dc.description.abstract	La stabilité, réactivité et propriétés électroniques des clusters binaires GaMo ont été étudiés en utilisant la méthode TPSS/SDD. La stabilité a été étudiée en termes des énergies de liaisons (Eb), l’énergie de fragmentation, la différence d’énergie au second ordre et les écarts énergétiques HOMO-LUMO (Eg). Les résultats obtenus pour les clusters GaMo révèlent que les clusters Ga3Mo, Ga4Mo et Ga6Mo sont plus stables que tous les autres clusters. Un écart plus important entre HOMO et LUMO a été observé pour le cluster Ga6Mo (1.1 eV), indiquant une grande stabilité chimique pour ce cluster. Les calculs du magnétisme montrent que les moments magnétiques des clusters GaMo varient entre 0.09 et 1 μB/atome et l’orbital 3d de l’atome de molybdène joue un rôle crucial dans le magnétisme des clusters GaMo.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	université de guelma	en_US
dc.subject	DFT, les clusters GaMo, stabilité, l'écart énergétique HOMO-LUMO, propriétés électroniques et catalytiques	en_US
dc.title	Réactivité et propriétés électroniques des clusters binaires GaMo	en_US
dc.type	Working Paper	en_US
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