Matériaux fonctionnels à base de silicium à gap direct

Abstract

Les propriétés structurales et électroniques de Si et Ge dans les structures cubique (Sicub et Ge-cub) et hexagonale (Si-hex et Ge-hex) et de l’alliage Ge1????xSix dans la structure hexagonale ont été étudiées par la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total (FP-LAPW), dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémenté dans le codeWien2k, l’énergie d’échange-corrélation est calculé selon l’approximation du gradient généralisé avec la paramétrisation de Perdew-Burk-Erenzhof (PBE), de plus le potentiel modifié de Becke ET Johnson (TB-mBJ) a été aussi appliqués pour améliorer le calcul du Gap energetique électronique de la structure de bande par rapport aux résultats expérimentaux.