Etude des propriétés structurales, électroniques et thermoélectriques des alliages Heusler

Abstract

Notre travail porte sur l’étude des propriétés structurelles, électroniques et thermoélectriques du composes semi-Heusler TaIrSn dopés par un élément de transition (Rh) sous la forme TaIr1−xRhxSn avec différentes Concentrations x = (0, 0.25, 0.50, 0.75, 1). Les calcules des propriétés structurelles et électroniques on été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémentée dans le code Wien2k. Le potentiel d’échange et de corrélation a été évalué par l’approximation du gradient généralisé (GGA). Les propriétés structurales, telles que le paramètre de réseau a0, le module de compressibilité B0 et sa dérivée B’ sont en bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes et les densités d’états (DOS) montrent que les composés ont un gap indirect. La théorie semi-classique de Boltzmann a été considérée pour le calcul des propriétés thermoélectriques. Les résultats obtenus montrent que le coefficient de Seebeck, la conductivité électrique et le facteur de mérite dépendent fortement de dopage et de la température. On trouve que le composé TaIr0.25Rh0.75Sn est un bon candidat pour la conversion thermoélectrique, notamment à haute température.