Thèses en ligne de l'université 8 Mai 1945 Guelma

L'effet photoélastique dans les composés antifluorites

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dc.contributor.author Guechi, Nassima
dc.date.accessioned 2019-02-25T12:44:55Z
dc.date.available 2019-02-25T12:44:55Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.uri http://dspace.univ-guelma.dz:8080/xmlui/handle/123456789/2603
dc.description.abstract Dans ce travail nous avons .0 Dans ce travail nous avons étudiés les propriétés structurales,électronique et optiques des composés Mg2Si et Mg2Ge dans le cadre de théorie de la fonctionnelle de la densité. nous avons utilisés la méthode des pseudo potentiel et les ondes planes les résultats obtenus pour les propriétés structurales sont en bon accord avec les valeurs expérimentales.les bandes d'énergie montrent que ces deux matériaux sont des semiconducteurs avec un petit gap d'énergie .nous avons calculés et interprétés les spectres de la fonction diélectrique.ensuite,nous avons déterminés les constantes photoélastiques.les valeurs obtenues pour le silicium montre que LDA donne un bon résultat pourp11-p12 en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.subject L'effet photoélastique ,les composés antifluorites en_US
dc.title L'effet photoélastique dans les composés antifluorites en_US
dc.type Working Paper en_US


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