Etude du premier principe des propriétés structurales et électroniques des semi conducteurs III-V GaX( (X =As, N, P et Sb)

Abstract

Dans ce travail, nous rapportons des études théoriques de propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs III-V GaX (X :As, N, P et Sb) dans les trois phases cristallines zinc-blende(B3), wirtzite(B4) et NaCl(Bl) en utilisant la méthode de calculs de tous les électrons et à potentiel complet &s orbitales Muffins-Tin linéaires FP-LMTO au sein de la théorie fonctionnelle de la densitd en utilisant les deux approximations LDA et GGA. l’analyse des structures de bandes, densité d'états et de l’énergie totale révèle que la phase la plus stable pour les composes GaAs, GaP et GaSb est la phase Zinc-blende et que la structure wurtzite est la structure la plus stable pour le GaN. en outre, nous avons constaté que les composés GaAs, GaN, et GaSb présentent un gap direct au point de haute symétrie f et que le GaP est un semi conducteur d gap indirect. l.es résultats obtenus sont en trds bon accord avec les valeurs expérimentales et les autres calculs théoriques.