Structure électronique des semi-conducteurs Fn1-x, Mnx Sb

dc.contributor.author	SAADNA, Saida
dc.date.accessioned	2019-02-20T13:41:22Z
dc.date.available	2019-02-20T13:41:22Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-guelma.dz:8080/xmlui/handle/123456789/2404
dc.description.abstract	Le but de ce travail est l’étude des structures électroniques des semi-conducteurs par Mn Insb dopes concentration 0.25 (In1_Mn Sb) dans la phase, Zinc-Blende. Les calculs ont été effectués par Ia méthode de calcul des ondes planes augmentée (Fp- LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de, la densité (DFT) implémentée dans le code elk. Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l,approximation du gradient généralise (GGA) pour le terme du potentiel d'échange et corrélation (xc). Dans le but de calculer les propriétés structurales, .électroniques et magnétiques.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.subject	semi-conducteurs, propriétés électroniques, propriétés structurales, propriétés magnétiques, dopage.	en_US
dc.title	Structure électronique des semi-conducteurs Fn1-x, Mnx Sb	en_US
dc.type	Working Paper	en_US