Propriétés structurales et électronique d'un semi-conducteur magnétique dilué

Abstract

Notre travail porte sur l’étude des propriétés structurales et électroniques de semi-conducteur Ge et si dopage avec un élément de transition, a savoir, le manganèse. Pour cela nous avons utilisé la méthode des ondes planes augmentées linéarisée (FP-LAPW) basé sur l'approximation de la densité de spin (GGA) pour le potentiel d’échange et corrélation' Les propretés structurales électroniques de Germanium et de Silicium qui cristallisent dans la structure diamant ont été calculées' Les résultats obtenus montrent que les deux composes sont des semi-conducteurs a gap indirects, cette résultat reste cohérents avec les autres résultats théoriques. Dopes avec une concentration de 12'5%de Manganèse' .les nouveaux composes GeMn et SiMn présent un caractère métallique