ETUDE ÉLECTRONIQUE DES NANOCRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS II-VT

Abstract

Notre travail porte sur les propriétés électroniques des nanomatériaux semi_conducteurs II _VI. Pour le compose massif nous avons utilisé la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (Fp-LApv/) basée sur l'approximation de la LDA et ceile de la GGA. Pour les semi-conducteurs nano-cristallins dtudids, on a utilisd le modèle de la masse effective validé par le modèle du pseudo potentiel. Les résultats obtenus mettent en évidence un effet quantique de confinement sur le gap énergétique et sur l'énergie de l,exciton, en plus la détermination des différents régimes de confinement pour chaque compose.