PROPRIETES OPTIQUE S DES SEMICONDUCTEURS IIB-VIA

Abstract

Le but de ce travail est d'6tudier les propridtds structurales, dlectroniques et optique des semi conducteurs IIB-YIA, Wur cela on a utilisd la m€thode des ondes planes augmentdes lindarisdes (FP-LAPW) dans le cadre de la th6orie de lafonctionnelle de la densitd PfD impldmentde dans le code Wien2k. Les paramitres de structure sont obtenus d I'dquilibre en minimisant I'dnergie totale enfonction du volume. Les structures de bande et la densil4 d'itat sont aussi dtudides. Dans le calcul on a utilisd I'approximation de la densitri locale LDA. Les rdsultats obtenus montrent que ces composds ont des structures ilectroniques similaires. Le macimum de la bande de valence et Ie minimum de la bande de conduction sont situtis au point f. La technique de ddcomposition du spectre de chaque composd donne de riches informations sur les positions du spectre optique et la contribution des dffirentes transitions interbandes dans la zone de Brillouin. Nos rdsultats sont en bon accord avec les donndes expdrimentales et les calculs thdoriques