Etude des Propriétés Structurales, Electroniques et Magnétiques des Semi-conducteurs Magnétiques Dilués Cd0.75MT0.25S (MT=Cu, Ni, V)

Abstract

Notre travail porte sur l’étude des propriétés structurales, électroniques et magnétiques des semi-conducteurs magnétiques dilués Cd0.75MT0.25S (MT=Cu, Ni, V). Pour réaliser ce travail et faire cette étude, nous avons utilisé la méthode des orbitales Muffin-Tin linéarisées avec un potentiel complet (FP-LMTO), dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), basée sur l’approximation du gradient généralisé (GGA). Les résultats obtenus à partir de l’étude des propriétés structurales telles que le paramètre du réseau, ????0 , le module de compressibilité, ????0 et sa dérivée, ????0́, sont en bon accord avec les données disponibles. Les résultats de calculs de structures de bandes d’énergie et de densités d’états (DOS) montrent que les composées Cd0.75MT0.25S (MT=Cu, Ni, V) présentent un gap direct au point de haute symétrie ????. De plus, le composé Cd0.75Cu0.25S présente un comportement métallique, tandis que les deux composés Cd0.75Ni0.25S et Cd0.75V0.25S sont semi-métalliques. L’hybridation p-d entre les états S-p et les états Cu/Ni/V-d réduit le moment magnétique des atomes magnétiques Cu, Ni et V et produit des petits moments magnétiques locaux sur les sites non magnétiques Cd et S.