Propriétés électroniques et thermoélectriques des semi-conducteurs quasi bidimensionnels

Abstract

Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés électroniques et thermoélectriques du composé CsZnSb, dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), en utilisant la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées (FP-LAPW). Nous avons employé l‘approximation du gradient généralisé (GGA). D’autre part, pour calculer les propriétés électroniques on a utilisé l’approximation du potentiel modifié de Becke et Johnson (mBJ). Les résultats obtenus pour la structure de bandes et les densités d’états (DOS) montrent que le composé CsZnSb est un gap direct. La théorie semi-classique de Boltzmann a été considérée pour le calcul des propriétés thermoélectriques. Nous avons également utilisé le code Boltztrap pour étudier les propriétés thermoélectriques. Les résultats obtenus montrent que le coefficient de Seebeck, la conductivité électrique dépendent fortement de la température. Nos résultats montrent que le coefficient Seebeck significativement plus élevé. On trouve que le composé CsZnSb est un bon candidat pour la conversion thermoélectrique, notamment à basse température.