Etude comparée des défauts induits par rayonnement de proton et de hélium dans les cristaux SiC et NaI

Abstract

Les effets induits par un rayonnement intense de protons et des particules alphas sur les deux composés SiC et NaI ont été calculés pour des énergies incidentes variant de 0,1 MeV jusqu'à 1 GeV afin de déterminer les cristaux les plus résistants à ce type de rayonnements .Le nombre moyen des lacunes et défauts engendrés par l'action de ces rayonnements dans ces deux composés ont été calculés et comparés pour les deux types de rayonnements. Le code SRIM basé sur la méthode de Monte Carlo a été utilisé pour effectuer ces calculs. Les résultats de ces calculs sur tout le domaine d'énergie montrent que dans le cas des protons le SiC est 19,2 % plus résistant que le NaI alors que pour les He^(++)le NaI est 14,6% plus résistant que SiC. Ces calculs ne prennent pas en compte les effets des neutrons induits qui sont supposés négligeables en raison de l'épaisseur très petite des cristaux considérés.