Structure électronique des semi-conducteurs Fn1-x, Mnx Sb

Abstract

Le but de ce travail est l’étude des structures électroniques des semi-conducteurs par Mn Insb dopes concentration 0.25 (In1_*Mn* Sb) dans la phase, Zinc-Blende. Les calculs ont été effectués par Ia méthode de calcul des ondes planes augmentée (Fp- LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de, la densité (DFT) implémentée dans le code elk. Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l,approximation du gradient généralise (GGA) pour le terme du potentiel d'échange et corrélation (xc). Dans le but de calculer les propriétés structurales, .électroniques et magnétiques.