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dc.contributor.authorGuenouf Soumia-
dc.date.accessioned2019-02-13T10:20:00Z-
dc.date.available2019-02-13T10:20:00Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-guelma.dz:8080/xmlui/handle/123456789/2003-
dc.description.abstractLes propriétés structurales et électoniques des éldments III-V et IV-IV, ces composds sont semi conducteurs cristallisant dans differentes skuctures : zine+lende, wurtzite rocksatrt. Les calculs ont et6 effectu6s pm la mdthode de calcul des ondes plares augment6es (Fp- LAPW) qui se base sur Ia thdorie de la fonctionnelle de la densitd (DFT). Nous avons utilis6 I'approximation de la densite locale (LDA) et l'approximation du gradient gsndralisd (GGA) pour le terme du potentiel d'dchange et de corrdiation (XC) pour oalotrler les propri6tds structurales, bien que' pour les propri6t6s 6lectroniques (structure de bandes (les gaps)), on a utilis6 LDA, GGA . Les valeurs du paramdtre de rdseau d'dquilibre sont en accord avec les r6sultats expdrimentaux disponibles. Gdndralement, les r6sultats obtenus sont en accord avec les mesures exp6rimentales et les calculs th6oriques. L'approximation de la densit6 locale LDA, d I'inverse de la GGA, sous estime les paramdtres de maille mais surestime le module de compression et on peut conclure que, dans notre cas la LDA est plus effrcace que la GGA.en_US
dc.language.isofren_US
dc.titleSTRUCTURE DE BANDES DES COMPOSES BINAIRES III-V ET IV-fVen_US
dc.typeWorking Paperen_US
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