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dc.contributor.authorHamici, Selma-
dc.date.accessioned2024-03-05T14:59:36Z-
dc.date.available2024-03-05T14:59:36Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-guelma.dz/jspui/handle/123456789/15806-
dc.description.abstractLe but de ce travail est d'étudier les propriétés structurelles et électroniques à base des éléments des groupes IIIA et VI cristallisant dans la structure zinc-blende (BN, AIP, GaAs, AlN, AlAs et GaN), par la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (F.P-LAPW), dans le cadre de la théorie de la. fonctionnelle de la densité DFT, implémentée dans le code Wien2K. Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale LDA, pour le terme du potentiel d’échange et de corrélation (XC), pour calculer les propriétés structurales (pas de réseau, module de rigidité) bien que les propriétés électroniques (les structures de bandes, nature du gap et les densités d'état totales et partielle. Les résultats obtenus montrent que la structure zinc-blende présenté un gap direct ou point T.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUNIVERSITY OF GUELMAen_US
dc.subjectLes Propriétés, structurales et électroniques, des éléments des groupes lllA et VAen_US
dc.titleLes Propriétés structurales et électroniques des composés à base des éléments des groupes lllA et VAen_US
dc.typeWorking Paperen_US
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