Etude des propriétés structurales,éléctroniques et magnétiques des semi-conducteurs magnétiques dilués à base de Carbure de Silicium SiC

Abstract

Dans ce travail, nous avons effectué des calculs ab-initio en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) et implémentée dans le code WIEN2K, pour déterminer les propriétés structurales, électroniques et magnétiques du composé binaire SiC et des semi- conducteurs magnétiques dilués à base de Carbure de Silicium SiC : 𝑆𝑖0.75𝑀𝑇0.25𝐶 (MT= V et Ni ). On a utilisé pour cela l’approximation du gradient généralisé (WC-GGA) pour le terme du potentiel d’échange et de corrélation. Les résultats obtenus montrent que le SiC est un semi-condicteur à gap indirect et 𝑆𝑖0.75𝑉0.25𝐶 est un demi-métal