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http://dspace.univ-guelma.dz/jspui/handle/123456789/11720
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | BENKOUICEM, ESMA | - |
dc.date.accessioned | 2022-02-08T13:18:20Z | - |
dc.date.available | 2022-02-08T13:18:20Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.uri | http://dspace.univ-guelma.dz/jspui/handle/123456789/11720 | - |
dc.description.abstract | Les propriétés structurales et électroniques de Si et Ge dans les structures cubique (Sicub et Ge-cub) et hexagonale (Si-hex et Ge-hex) et de l’alliage Ge1????xSix dans la structure hexagonale ont été étudiées par la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total (FP-LAPW), dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémenté dans le codeWien2k, l’énergie d’échange-corrélation est calculé selon l’approximation du gradient généralisé avec la paramétrisation de Perdew-Burk-Erenzhof (PBE), de plus le potentiel modifié de Becke ET Johnson (TB-mBJ) a été aussi appliqués pour améliorer le calcul du Gap energetique électronique de la structure de bande par rapport aux résultats expérimentaux. | en_US |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.publisher | université de guelma | en_US |
dc.subject | Matériaux fonctionnels, semi-conducteur, gap direct, la théorie de la fonctionnelle de la densité | en_US |
dc.title | Matériaux fonctionnels à base de silicium à gap direct | en_US |
dc.type | Working Paper | en_US |
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